光电池 A．8548.9000 B．8506.8000 C．8541.4020 D．8541.4090
题目
光电池
A．8548.9000
B．8506.8000
C．8541.4020
D．8541.4090
B．8506.8000
C．8541.4020
D．8541.4090
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第1题：
光电池
正确答案: 某些半导体材料受光照射时，背光面和受光面之间会产生电位差。在两面之间可检测到电流。这种光电转换元件即为光电池。常用的有硒光电池、硅光电池等。光电池所产生的光电流与入射光强成正比。光电池的优点是结实、便宜、使用方便，不用外接电源，只要受光照射，便能产生电流，应用起来很方便。缺点是容易受潮而使其产生的电流大小不稳定。 -
第2题：
硅光电池实验中用发光二级管做光源照射光电池表面，发光二级管输出功率（）
- A、与驱动电流有关
- B、与驱动电流无关
正确答案:A -
第3题：
光电池需外加激励源才会有电流输出。
正确答案:错误 -
第4题：
硒光电池比硅光电池更稳定。
正确答案:错误 -
第5题：
光电池研制的最主要问题是提高光电池的光电转换效率。
正确答案:正确 -
第6题：
关于光电池的最合适的说法是（）。
- A、光电池是基于外光电效应原理工作的；
- B、光电池是基于光在PN结上产生光生电子对工作的；
- C、光电池是基于内光电效应原理工作的；
- D、光电池是基于光电管原理工作的。
正确答案:C -
第7题：
飞机上光电烟雾探测器的组成有（）.
- A、光电池、收集器和日光灯
- B、光电池、收集器、信标投射灯和日光灯
- C、光电池、收集器、试验灯和信标投射灯
- D、光电池、收集器、报警灯和信标投射灯
正确答案:C -
第8题：
判断题光电池的主要用途为太阳能光电池和测量光电池。A对
B错
正确答案： 错解析： 暂无解析 -
第9题：
单选题以下关于“光电二极管与光电池不同之处”的叙述不正确的是（）A它们的掺杂浓度不同，光电池掺杂浓度较高，而光电二极管掺杂浓度低；
B它们的电阻率不同，光电池的电阻率低；
C工作电压偏置条件不同，光电池通常在零偏置下工作，而光电二极管通常在反向偏置下工作；
D它们的光电流的大小不同，光电池的光电流小得多，通常在微安级。
正确答案： B解析： 暂无解析 -
第10题：
多选题光电池有（）种类。A硅光电池
B硒光电池
C锗光电池
D砷化镓光电池
E锂光电池
正确答案： B,A解析： 暂无解析 -
第11题：
问答题简述光电池的工作原理。正确答案： 在一块N形硅片表面，用扩散的方法掺入一些P型杂质，形成PN结，光这就是一块硅光电池。当照射在PN上时，如光子能量hv大于硅的禁带宽度E时，则价带中的电子跃迁到导带，产生电子空穴对。因为PN结阻挡层的电场方向指向P区，所以，任阻挡层电场的作用下，被光激发的电子移向N区外侧，被光激发的空穴移向P区外侧，从而在硅光电池与PN结平行的两外表而形成电势差，P区带正电，为光电池的正极，N区带负电，为光电池的负极。照在PN结上的光强增加，就有更多的空穴流向P区，更多的电子流向N区，从而硅光电池两外侧的电势差增加。如上所述，在光的作用下，产生一定方向一定大小的电动势的现象，叫作光生伏特效应。解析： 暂无解析 -
第12题：
填空题光电池种类有：（）、（）。正确答案： 太阳能光电池,测量光电池解析： 暂无解析 -
第13题：
光电池的工作原理是基于光生伏特效应的，硅光电池是在N型硅片中掺入P型杂质形成一个大面积的PN结。
正确答案:正确 -
第14题：
光电池是一种直接将（）转换为（）的光电器件。光电池在有光线作用下实质就是（）。
正确答案:光能；电能；电源 -
第15题：
光电池为无源元件。
正确答案:错误 -
第16题：
简述光电池的工作原理。
正确答案: 硅光电池是在N型硅片中掺入P型杂质形成一个大面积的PN结，上电极为栅状受光电极，下电极为衬底铝电极。栅状电极能减少电极与光敏面的接触电阻，增加透光面积。其上还蒸镀抗反射膜，既减少反射损失，又对光电池其保护作用。当光照射到PN结上时，如果在两电极间串接负载电阻，则电路中便产生了电流。 -
第17题：
普通型硅光电池的峰值波长为（），落在（）区域。
正确答案:0.8μm；紫外光 -
第18题：
硅光电池就是一个大面积PN结，硅光电池串联或并联组成电池组与镍镉电池配合，可作为宇宙飞行器等设备的电源。
正确答案:正确 -
第19题：
单选题光电池电流滞后于光照，属于光电池的（）特性。A频率；
B伏安；
C光谱；
D温度；
正确答案： D解析： 暂无解析 -
第20题：
问答题叙述光电池的工作原理以及开路电压、短路电流与光照度的关系。为什么光电池的输出与所接的负载有关系？正确答案： （1）工作原理
光电池是一个简单得PN结。当光线照射PN结时，PN结将吸收入射光子。如果光子能量超过半导体材料的禁带宽度，则由半导体能带理论可知，在PN结附近会产生电子和空穴。在内电场的作用下，空穴移向P区，电子移向N区，使N区聚集大量的电子而带上负电，在P区聚集大量的空穴而带上正电。于是在P区和N区之间产生了电势，成为光生电动势。如果用导线或电阻把N区和P区连接起来，回路中就会有光电流I流过，电流方向是由P区流向N区。
（2）光电池的电动势即开路电压与照度成非线性关系，在照度光电池的短路电流与照度成线性关系
（3）当负载电阻较大时，光电流流过负载电阻时，必然使外加电场增大，由于外电场的方向是与内电场方向相反，故要削弱内电场的强度，从而使光生的电子和空穴不能移过PN结，使对外输出的光电流减少。解析： 暂无解析 -
第21题：
填空题光电池是基于（）效应而工作的；正确答案： 光伏解析： 暂无解析 -
第22题：
单选题光电池的基本结构就是一个（）结。ACN
BPN
CPNP
DNPN
正确答案： B解析： 暂无解析 -
第23题：
问答题硅光电池的内阻与哪些因素有关？在什么条件下硅光电池的输出功率最大？正确答案： （1）极电容，串接电阻，串接电阻越小越好。
（2）显然，存在着最佳负载电阻Ropt，在最佳负载电阻情况下负载可以获得最大的输出功率Pmax。解析： 暂无解析 -
第24题：
问答题简述硅光电池的基本结构和工作原理？正确答案： 1）基本结构：PN结构成，基底上以磷或硼作为受光面，分别在基底和光敏面上制作出输出电极，光敏面上镀上二氧化硅保护膜即形成硅光电池。
2）工作原理：光照射PN结时，耗尽层内产生光生载流子，在内建电场的作用下，电子移向P区，空穴移向N区，即产生电动势。解析： 暂无解析